یک سلول XOR جدید دو ورودی مبتنی بر CNTFET با توان نشتی فوق العاده پایین برای تمام جمع کننده های ولتاژ پایین و توان پایین
Authors
Abstract:
گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) می باشد. چندین مدار XOR به طور کامل با استفاده از HSPICE با تکنولوژی های 32nm CMOS و 32nm CNTFET در یک ولتاژ تغذیه کم شبیه سازی شده اند. مدار XOR پیشنهادی با مدارهای قبلاً شناخته شده مقایسه شده و عملکرد ممتاز آن نشان داده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهند که XOR ولتاژ پایین جدید، تلفات توان کمتر، جریان نشتی کمتر و PDP کوچکتری در مقایسه با سایر مدارات XOR قبلی دارد و نسبت به تغییرات پروسه مقاوم میباشد. براساس نتایج بدست آمده در ولتاژ تغذیه 0/5 ولت، فرکانس 250 مگا هرتز و خازن بار 3/5 فمتو فاراد، XOR پیشنهادی تاخیر انتشار برابر 149/05 پیکوثانیه، توان مصرفی 716/72 پیکو وات، توان نشتی 1/25 پیکو وات و PDP برابر 21-10×10/683 ژول از خود نشان میدهد. XOR پیشنهادی می تواند به خوبی در مدارات جمع کننده ولتاژ پایین و توان پایین استفاده شود.
similar resources
یک فیلتر Gm-C قابل تنظیم ولتاژ پایین و توان پایین برای کاربردهای بیسیم
در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم 40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست میآید. نتایج شبیهسازی تقویتکننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz را نشان میدهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تق...
full textیک فیلتر Gm-C قابل تنظیم ولتاژ پایین و توان پایین برای کاربردهای بیسیم
در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم 40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست میآید. نتایج شبیهسازی تقویتکننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz را نشان میدهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تق...
full textیک فشرده ساز 4:2 مافوق ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET
یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی میباشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا میباشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل میکند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشردهساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل میشود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...
full textیک فشرده ساز 4:2 مافوق ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET
یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی میباشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا میباشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل میکند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشردهساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل میشود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...
full textطراحی واحد تأخیر CMOS برای افزایش محدوده دینامیکی و خطینگی بالا برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین
در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ همواره طراحی و پیاده سازی یک واحد تأخیر مناسب برای کاربردهای دیجیتال و آنالوگ به عنوان یک چالش مطرح بوده است. این مدار کوچک نقش قابل توجهی در کارآیی سیستمهای مختلف و بخصوص سیستمهای دیجیتال ایفا مینماید. از آنجا که در تکنولوژیهای زیر میکرون که توان مصرفی و کاهش ولتاژ به عنوان یک ضرورت احساس میشود، دست یابی به یک واحد تأخیر با خطینگی مناسب به عنوان مشکل بزرگی در ...
full textطراحی مدار مبدل سطح ولتاژ با بازده توان بالا برای کاربردهای ولتاژ پایین
در این مقاله یک تبدیل سطح ولتاژ مؤثر که قابلیت تبدیل سطوح ولتاژ بسیار پایین ورودی به سطح بالاتر با کاربرد در فرکانسهای بالا را دارد، ارائه شده است. به منظور جلوگیری از اتلفات توان استاتیک، در ساختار پیشنهادی از یک منبع جریان استفاده شده و در طی انتقال فقط زمانی که در آن سطح منطق سیگنال ورودی با به سطح منطق خروجی متناظر نمیباشد، روشن است. عملکرد ساختار پیشنهادی تحلیل و بررسی شده و نتایج شب...
full textMy Resources
Journal title
volume 10 issue 37
pages 13- 22
publication date 2019-05-05
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023